三温区管式气氛炉

广泛用于冶金、机械、轻工、商检、高等院校及科研部门，其性能达到国外同类产品的标准，可处理直径小于270mm的半导体样片，采用K型热电偶测温和518P温控仪30段可编程智能控温，具有较高的控温精度。

主要应用于CVD实验，荧光粉制备，真空或气氛烧结、基片镀膜等要求加热温度较高的实验环境. 是各大材料实验室的理想设备之一。

用途：高温气氛烧结、镀膜、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品。

特点：双层风冷结构；高密度硅碳棒真空挤压成型，三个温区独立控温，高纯氧化铝纤维真空吸附一次成型；30段可编程智能控制（可外接远程控制）。

工作温度：≤1200℃

炉管尺寸：60mm*1200mm

外型尺寸：1200*660*750*mm（更多规格可根据用户需求定制）

温控方式：30段可编程自动控制

温控保护：具有超温及断偶报警功能

温控精度：± 1℃

加热速率：0~20 ℃ / 分

气密性：4.03×10-3Pa

加热元件：掺钼铁铬铝合金电阻丝